本文由半導體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

Rapidus介紹了2nm工藝及GAA結(jié)構(gòu)的核心優(yōu)勢。

Rapidus參展2025年日本SEMICON展會，展出了由IIM北海道千歲市開發(fā)制造基地研發(fā)制造的2nm GAA（全環(huán)繞柵極）晶體管及600毫米RDL（重分布層）中介面板原型。

2025年6月16日，Rapidus首次將硅片送入位于北海道千歲市的“IIM”開發(fā)制造基地前沿試點產(chǎn)線；同月28日，首顆2nm GAA晶體管原型完成制備，并確認實現(xiàn)正常運行。此次是IIM實際制造的原型產(chǎn)品首次公開亮相，展位全程座無虛席。

除實物原型展示外，展會現(xiàn)場還同步介紹了2nm工藝及GAA結(jié)構(gòu)的核心優(yōu)勢。與2008年前后主流的40納米平面晶體管相比，2nm GAA晶體管可將功耗降低約二十分之一；相較于2018年前后的先進工藝——7nm FinFET（鰭式場效應晶體管），其功耗也僅為前者的四分之一。

晶體管結(jié)構(gòu)。來源：Rapidus

晶體管結(jié)構(gòu)導致的功耗差異。來源：Rapidus

RDL中介面板原型

相同面積下，300毫米晶圓（82毫米方形晶圓規(guī)格）可制備4個中介層，而600毫米方形面板則可制備49個，中介層數(shù)量提升10倍以上?；谶@一優(yōu)勢，Rapidus正全力推進600毫米見方RDL中介面板的研發(fā)，此次展會上不僅展示了芯片組的實際原型，還呈現(xiàn)了其結(jié)構(gòu)模型。

RDL中介面板開發(fā)演變。來源：Rapidus

在 RDL 中介面板的制造流程中，線路首先在玻璃載體上完成圖形化成型；若制程需要，可同步嵌入橋式芯片（適配精細化線路布局），繼而構(gòu)建上層線路層。后續(xù)依次完成上下層線路互聯(lián)的柱狀結(jié)構(gòu)制作、橋尖裝配、樹脂包覆密封、表面拋光處理、金屬布線層沉積及焊盤制備。完成上述工序后，將邏輯芯片與存儲芯片搭載至 RDL 中介層，剝離玻璃載體，再與有機基板進行互連封裝，最終經(jīng)塑封工藝，完成整個流程。

Rapidus計劃于2027年開始前線工藝的量產(chǎn)，并在2027年下半年至2028年上半年開始后期生產(chǎn)。

2025年，半導體行業(yè)迎來了2nm制程的競爭元年。臺積電、三星、英特爾、日本Rapidus等巨頭紛紛加速布局。隨著臺積電確認2nm工藝將于2025年第四季度進入量產(chǎn)階段，三星宣布下半年啟動2nm制程量產(chǎn)，以及英特爾將2nm節(jié)點品牌化為“Intel 18A”并計劃今年量產(chǎn)，一場關(guān)乎技術(shù)霸權(quán)的競爭已全面展開。

全球半導體廠商正全力投入2nm制程研發(fā)與量產(chǎn)，瞄準高效能、低功耗芯片的龐大市場需求。多方競逐的態(tài)勢已經(jīng)形成，各大廠商爭相達陣2nm節(jié)點。臺積電作為行業(yè)龍頭，已基本做好2nm工藝過渡到全面生產(chǎn)的準備。初始生產(chǎn)線分布于位于中國臺灣新竹寶山和高雄的四座工廠，計劃2025年第四季度進入量產(chǎn)階段。供應鏈人士透露，臺積電從2025年4月1日起開始接受2nm訂單，初步敲定的2nm晶圓價格從3萬美元起步。

三星在本月推出了Exynos 2600，這是全球首款2nm手機芯片。不過三星做出了一個頗為反常的舉動—未在Exynos 2600中集成5G基帶，此舉可能是為了簡化應用處理器的制造流程。

據(jù)悉，Exynos 2600采用10核心設(shè)計，包括1顆3.8GHz C1-Ultra超大核、3顆3.25GHz C1-Pro大核以及6顆2.75GHz C1-Pro中核，集成Xclipse 960圖形處理器，支持LPDDR5X內(nèi)存。

三星官方宣稱，相較于前代芯片Exynos 2500，Exynos 2600的CPU計算性能提升39%，NPU性能更是實現(xiàn)了113%的大幅躍升，GPU性能提升最高50%。在同等負載下，HPB散熱模塊可使芯片溫度降低約30%。

不過三星未在Exynos 2600芯片中集成5G基帶，這引發(fā)了外界對該芯片綜合能效的質(zhì)疑。為了能實現(xiàn)5G連接，三星決定外掛Shannon 5410基帶。雖然外掛基帶方案簡化了Exynos 2600的整體制造流程，有助于提升芯片的良率，但是其能效表現(xiàn)如何還要看真機實測。按照計劃，Exynos 2600由三星Galaxy S26系列首發(fā)，新機將在明年2月份亮相。

Intel 18A制程是英特爾“四年五個制程節(jié)點”計劃的最后一個節(jié)點，代表了英特爾在半導體制造技術(shù)上的最新成果。該制程采用了先進的RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)和PowerVia背面供電技術(shù)，預計將在晶體管密度、性能提升和功耗降低方面實現(xiàn)顯著突破。隨著人工智能、云計算、大數(shù)據(jù)等技術(shù)的快速發(fā)展，對高性能、低功耗芯片的需求日益增長。Intel 18A制程芯片的量產(chǎn)將有助于英特爾滿足這些市場需求，提升其在半導體市場的競爭力。英特爾18A工藝預計將在2025年底實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

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