汽車、工業(yè)控制、電源管理和商業(yè)應(yīng)用芯片的需求復(fù)蘇，提高了8英寸和部分12英寸晶圓的利用率。

受人工智能熱潮的推動(dòng)，全球半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷新一輪結(jié)構(gòu)重組。在晶圓代工領(lǐng)域，成熟節(jié)點(diǎn)的代工價(jià)格終于擺脫了此前的低點(diǎn)。

供應(yīng)鏈消息人士稱，臺(tái)積電持續(xù)提高5nm以下制程的價(jià)格，其美國(guó)晶圓廠的產(chǎn)能提升幅度達(dá)10-20%，展現(xiàn)出強(qiáng)大的定價(jià)能力和成本轉(zhuǎn)嫁能力。與此同時(shí)，隨著人工智能時(shí)代的到來(lái)，成熟制程節(jié)點(diǎn)的需求復(fù)蘇，世界先進(jìn)（VIS）、力積電（PSMC）、聯(lián)電（UMC）和中芯國(guó)際（SMIC）等二線晶圓代工廠受益，獲得了價(jià)格調(diào)整和盈利能力提升的機(jī)會(huì)。

然而，臺(tái)積電在7納米以下制程領(lǐng)域占據(jù)絕對(duì)主導(dǎo)地位，其CoWoS先進(jìn)封裝技術(shù)牢牢掌控著客戶，并拿下大部分人工智能芯片訂單，攫取了大部分利潤(rùn)。這使得三星電子和英特爾的代工業(yè)務(wù)仍然處于虧損狀態(tài)，而二線廠商的利潤(rùn)增長(zhǎng)也十分有限。

據(jù)供應(yīng)鏈內(nèi)部人士透露，臺(tái)積電將持續(xù)上調(diào)5納米以下先進(jìn)工藝的價(jià)格至2026年。這不僅反映了持續(xù)緊張的供需關(guān)系，也反映了海外晶圓廠建設(shè)成本的上升以及顯著的通脹壓力推高了整體成本結(jié)構(gòu)。此前，臺(tái)積電已將其長(zhǎng)期毛利率目標(biāo)從53%以上上調(diào)至56%以上，凸顯了其強(qiáng)勁的盈利能力。

高良率需求使客戶鎖定在2納米及以下工藝

消息人士指出，臺(tái)積電激進(jìn)的提價(jià)策略不僅限于5nm和3nm工藝，還延伸至最新的2nm工藝，但并未出現(xiàn)重大的客戶流失。盡管有人批評(píng)產(chǎn)能競(jìng)爭(zhēng)，以及特斯拉CEO埃隆·馬斯克宣布與三星合作、高通希望避免對(duì)臺(tái)積電過度依賴等舉措，但臺(tái)積電5nm、4nm和3nm工藝的產(chǎn)能利用率目前均達(dá)到100%，表明其訂單充足，市場(chǎng)控制力強(qiáng)。

進(jìn)入2納米以下制程階段需要采用全新的晶體管架構(gòu)和材料，這將顯著增加制造難度和資金需求。由于高性能計(jì)算和人工智能服務(wù)器芯片市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，英偉達(dá)和AMD等客戶將工藝穩(wěn)定性和高良率放在首位。

由于單個(gè)芯片價(jià)格飆升，任何良率波動(dòng)或生產(chǎn)延誤都可能導(dǎo)致巨大的收入損失，從而阻止客戶輕易更換供應(yīng)商。

盡管電力、原材料和海外晶圓廠成本不斷上漲，臺(tái)積電仍通過優(yōu)化產(chǎn)品組合和簽訂長(zhǎng)期合同來(lái)抵消支出，保持相對(duì)穩(wěn)定的毛利率，并且似乎并未受到全球通脹壓力的影響。

隨著需求改善，成熟節(jié)點(diǎn)價(jià)格逐步恢復(fù)正常。

與臺(tái)積電獨(dú)占的先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)不同，成熟工藝節(jié)點(diǎn)市場(chǎng)在經(jīng)歷了多年的庫(kù)存調(diào)整后，正緩慢恢復(fù)到正常水平。汽車、工業(yè)控制、電源管理和商業(yè)應(yīng)用芯片的需求復(fù)蘇，提高了8英寸和部分12英寸晶圓的利用率。

VIS董事長(zhǎng)方略此前曾表示，人工智能應(yīng)用正在推動(dòng)半導(dǎo)體需求的“全面激增”。目前商用和工業(yè)庫(kù)存充足，成熟節(jié)點(diǎn)的需求依然強(qiáng)勁。VIS目前面臨供應(yīng)短缺，訂單可見性約為三個(gè)月。

VIS公司2025年第四季度毛利率為27.5%，預(yù)計(jì)2026年第一季度將升至30%以上，產(chǎn)能利用率也將從75%提升至80-85%。方略強(qiáng)調(diào)，隨著產(chǎn)能趨緊，持續(xù)的投資和更深入的客戶合作將使實(shí)現(xiàn)30%以上的毛利率成為可能。

鑒于持續(xù)的成本壓力和技術(shù)投資，VIS據(jù)稱將適度提高價(jià)格，以更好地反映真實(shí)的成本結(jié)構(gòu)。

臺(tái)積電已明確宣布采取激進(jìn)的定價(jià)策略，自3月起全面上調(diào)8英寸和12英寸晶圓代工價(jià)格。高帶寬內(nèi)存（HBM）和人工智能相關(guān)需求的快速增長(zhǎng)正在加劇整體產(chǎn)能緊張。與此同時(shí)，包括原材料、設(shè)備維護(hù)和人工在內(nèi)的多項(xiàng)運(yùn)營(yíng)成本持續(xù)上漲。隨著行業(yè)整體回暖，成熟工藝節(jié)點(diǎn)面臨供應(yīng)瓶頸，因此需要重新審視價(jià)格策略，以確保長(zhǎng)期穩(wěn)定的供應(yīng)和優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。

供應(yīng)鏈方面也有報(bào)道稱，中芯國(guó)際和華虹半導(dǎo)體一直在按季度調(diào)整代工廠價(jià)格，這標(biāo)志著由行業(yè)整體的某些8英寸和12英寸工藝的價(jià)格戰(zhàn)已經(jīng)結(jié)束。

以色列進(jìn)入緊急狀態(tài)、成熟制程轉(zhuǎn)單

中東戰(zhàn)火延燒，以色列進(jìn)入緊急狀態(tài)，以色列最大、全球前十大晶圓代工廠高塔（Tower）出貨受阻，傳出原在高塔投片的國(guó)際大咖紛紛轉(zhuǎn)單或擴(kuò)大釋單臺(tái)系代工廠，世界先進(jìn)因與高塔技術(shù)雷同度最高，成為首選，涌現(xiàn)急單；力積電亦證實(shí)，接單明顯增溫。

高塔主攻特殊、高壓成熟制程，客戶群涵蓋安森美（onsemi）、Vishay等功率半導(dǎo)體元件巨頭，以及博通、Skyworks乃至于英特爾、三星等大廠，全球晶圓代工市占率與世界、力積電等中國(guó)臺(tái)灣同業(yè)相當(dāng)，先前更是英特爾有意收購(gòu)的對(duì)象，突顯高塔的特殊性。

世界先進(jìn)于2日表示，不對(duì)客戶動(dòng)態(tài)置評(píng)。力積電則證實(shí)，訂單確實(shí)有升溫現(xiàn)象，密切關(guān)注市場(chǎng)變化。

消息人士指出，下單高塔的國(guó)際大廠原本希望臺(tái)積電支援，但臺(tái)積電逐步淡出成熟制程，并要求既有客戶轉(zhuǎn)單世界先進(jìn)，加上世界既有技術(shù)與高塔雷同度最高，都是主攻特殊／高壓成熟制程，且相關(guān)尋求轉(zhuǎn)單或擴(kuò)大下單的國(guó)際大廠也普遍有在世界下單，轉(zhuǎn)單潮因而涌向世界。

力積電與高塔的制程重疊性也頗高，加上高塔長(zhǎng)期承接功率半導(dǎo)體大廠安森美與Vishay等訂單，安森美、Vishay同時(shí)與世界、力積電維持深厚合作關(guān)系，這次以色列陷入中東戰(zhàn)火，不僅世界涌現(xiàn)急單，力積電也是國(guó)際大廠尋求協(xié)助的對(duì)象。

業(yè)界指出，以色列為高塔生產(chǎn)大本營(yíng)，聚焦高壓與特殊制程，涵蓋電源管理IC、功率元件、CIS感測(cè)器、射頻、MEMS及類比訊號(hào)IC等，主力制程落在0.18~0.13微米，相關(guān)技術(shù)也是力積電擅長(zhǎng)領(lǐng)域。

就高塔主要客戶看，安森美長(zhǎng)期將部分8英寸成熟制程委外，世界為重要代工伙伴，投片重點(diǎn)集中電源管理晶片、中低壓MOSFET與BCD制程產(chǎn)品；力積電則在功率分立元件與邏輯／模擬混合訊號(hào)領(lǐng)域與安森美往來(lái)密切。

Vishay更是世界老牌客戶，大量下單溝槽式MOSFET與TVS產(chǎn)品，近年更因地緣政治考量，將部分原在中國(guó)生產(chǎn)的訂單轉(zhuǎn)向中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)與新加坡廠區(qū)，若高塔供應(yīng)受限，市場(chǎng)研判，客戶將進(jìn)一步強(qiáng)化備援布局。

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