有著“HBM（高帶寬內(nèi)存）之父”之稱的韓國(guó)教授認(rèn)為，AI（人工智能）計(jì)算主導(dǎo)權(quán)正在從GPU轉(zhuǎn)向內(nèi)存。

近日，據(jù)韓媒報(bào)道，被稱為“HBM之父”的韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院電氣與電子工程學(xué)院教授金正浩表示，AI芯片格局即將發(fā)生根本性變化，當(dāng)前由英偉達(dá)主導(dǎo)、以GPU為核心的體系，最終轉(zhuǎn)變?yōu)槭軆?nèi)存主導(dǎo)的架構(gòu)。

隨著AI從生成式模型邁向Agentic AI（智能體）時(shí)代，內(nèi)存正成為關(guān)鍵的發(fā)展制約因素。金正浩指出，這一轉(zhuǎn)變可被概括為“上下文工程（context engineering）”的興起，AI需要同時(shí)處理海量文檔、視頻及多模態(tài)數(shù)據(jù)。

金正浩表示，為支撐這一趨勢(shì)，內(nèi)存帶寬與容量需實(shí)現(xiàn)最高達(dá)1000倍的提升，方能保障系統(tǒng)的速度與準(zhǔn)確性。當(dāng)輸入規(guī)模擴(kuò)大100至1000倍時(shí)，內(nèi)存需求可能呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，最高甚至達(dá)到百萬(wàn)倍。

在此背景下，金正浩指出，當(dāng)前通過(guò)堆疊DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）以實(shí)現(xiàn)超高帶寬的HBM產(chǎn)品，或難以滿足智能體時(shí)代的需求。作為下一代路徑，他重點(diǎn)看好HBF（High Bandwidth Flash，高帶寬閃存）技術(shù)。作為一種新型存儲(chǔ)技術(shù)，HBF方案通過(guò)堆疊NAND閃存來(lái)替代DRAM，構(gòu)建類似“巨型書架”的長(zhǎng)期存儲(chǔ)體系，從而在容量上實(shí)現(xiàn)數(shù)量級(jí)躍升。

金正浩進(jìn)一步表示，AI產(chǎn)業(yè)的權(quán)力格局或?qū)⒁虼税l(fā)生轉(zhuǎn)移，由GPU向內(nèi)存傾斜。盡管現(xiàn)階段計(jì)算架構(gòu)仍以GPU和CPU為核心，但未來(lái)的系統(tǒng)將圍繞超大容量?jī)?nèi)存（如HBM與HBF）構(gòu)建，處理器則更像是嵌入其中的組件。

這一構(gòu)想在產(chǎn)業(yè)界已有初步體現(xiàn)。今年2月，SK海力士在提交至電氣與電子工程師學(xué)會(huì)（IEEE）的論文中提出了“H3架構(gòu)”，混合配置HBM高帶寬內(nèi)存與HBF高帶寬閃存，論文表示，HBF與HBM 相比，帶寬相當(dāng)、容量更大、訪問(wèn)延遲更長(zhǎng)、寫入耐久更差、功耗更高，因此H3將HBF作為HBM的“二級(jí)擴(kuò)展”，HBF存儲(chǔ)只讀數(shù)據(jù)、HBM則負(fù)責(zé)其余數(shù)據(jù)。

金正浩認(rèn)為，HBF工程樣品預(yù)計(jì)將在2027年前后問(wèn)世，谷歌、英偉達(dá)或AMD等廠商最快可能于2028年開始采用該技術(shù)。此外，圍繞HBF的競(jìng)賽或?qū)⒅匮軭BM時(shí)代的格局，三星電子與SK海力士有望再度正面交鋒。