4月27日晚，中微公司（688012）發(fā)布2026年第一季度業(yè)績(jī)。期內(nèi)，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入29.15億元，同比增長(zhǎng)34.13%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為9.30億元，同比增長(zhǎng)197.20%。

中微公司第一季度公司研發(fā)支出9.08億元，較去年同期增長(zhǎng)約32.15%，研發(fā)支出占公司營(yíng)業(yè)收入比例約為31.14%。

中微公司表示，公司在過去14年保持了營(yíng)業(yè)收入年均增長(zhǎng)大于35%、在2025年比2024年增長(zhǎng)36.62%的基礎(chǔ)上，2026年第一季度營(yíng)業(yè)收入繼續(xù)保持高速增長(zhǎng)，同比增長(zhǎng)34.13%，達(dá)到29.15億元。

中微公司解釋，第一財(cái)季公司針對(duì)先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)器件制造中關(guān)鍵刻蝕工藝的高端產(chǎn)品新增付運(yùn)量顯著提升，先進(jìn)邏輯器件中段關(guān)鍵刻蝕工藝和先進(jìn)存儲(chǔ)器件超高深寬比刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

此外，為先進(jìn)存儲(chǔ)器件和邏輯器件開發(fā)的LPCVD、ALD等多款導(dǎo)體和介質(zhì)薄膜設(shè)備已經(jīng)順利進(jìn)入市場(chǎng)，薄膜設(shè)備的覆蓋率不斷增加，新增付運(yùn)量保持快速增長(zhǎng)，并在客戶端持續(xù)應(yīng)用在迭代產(chǎn)品上。

對(duì)于本財(cái)季凈利潤(rùn)的高增，中微公司解釋，本期營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)34.13%下，毛利較上年增長(zhǎng)約2.60億元； 此外，公司本期出售了部分持有的拓荊科技股份有限公司股票，產(chǎn)生稅后凈收益約3.97億元。

中微公司2026 年第一季度歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)約4.78億元，較上年同期增加1.79億元，增長(zhǎng)60.09%。

中微公司披露，公司累計(jì)已有超過8300個(gè)反應(yīng)臺(tái)在國(guó)內(nèi)外180余條客戶芯片及LED生產(chǎn)線全面量產(chǎn)。公司針對(duì)先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)器件制造中關(guān)鍵刻蝕工藝的高端產(chǎn)品新增付運(yùn)量顯著提升。

中微公司提到，在先進(jìn)存儲(chǔ)器件制造工藝中，公司完全自主開發(fā)的針對(duì)超高深寬比刻蝕工藝的刻蝕機(jī)已有300多臺(tái)反應(yīng)器實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定可靠的大規(guī)模量產(chǎn)。CCP方面，用于關(guān)鍵刻蝕工藝的介質(zhì)刻蝕產(chǎn)品持續(xù)保持高速增長(zhǎng)，下一代90:1超高深寬比低溫刻蝕設(shè)備已運(yùn)付客戶端進(jìn)行驗(yàn)證，公司已全面覆蓋存儲(chǔ)器刻蝕應(yīng)用中各類超高深寬比需求；ICP方面，適用于新一代邏輯和存儲(chǔ)芯片制造用的第二代ICP刻蝕設(shè)備Primo AngnovaTM在 3D DRAM的應(yīng)用中， 取得了140:1的高深寬刻蝕結(jié)果和形貌控制能力，并付運(yùn)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先存儲(chǔ)客戶端認(rèn)證。全新的化學(xué)氣相刻蝕設(shè)備Primo DomingoTM實(shí)現(xiàn)大于700:1的業(yè)界領(lǐng)先SiGe/Si的高選擇比，在GAA和3D DRAM關(guān)鍵工藝的實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證中，展現(xiàn)優(yōu)異的刻蝕性能，全面滿足客戶的各項(xiàng)工藝指標(biāo)要求。

此外，中微公司在短時(shí)間內(nèi)成功開發(fā)出十多種薄膜設(shè)備,包括LPCVD、ALD、EPI、 PVD CuBS和PECVD等產(chǎn)品在先進(jìn)存儲(chǔ)和先進(jìn)邏輯市場(chǎng)新增付運(yùn)量保持快速增長(zhǎng)。公司持續(xù)保持國(guó)際氮化鎵基MOCVD設(shè)備市場(chǎng)領(lǐng)先地位，積極布局用于SiC和GaN基功率器件應(yīng)用的市場(chǎng)，并在Micro-LED和其他顯示領(lǐng)域的專用MOCVD設(shè)備開發(fā)上取得了良好進(jìn)展。