三星稱12層堆疊HBM4E的能效與熱性能雙提升，可滿足下一代AI高負(fù)載算力需求。

5月29日，三星電子宣布，其已開始向全球主要客戶出貨業(yè)界首款12層堆疊HBM4E工程樣品，進(jìn)一步鞏固其在下一代高帶寬內(nèi)存（HBM）市場的領(lǐng)先地位。

三星HBM4E是三星旗下第四代增強(qiáng)型高帶寬內(nèi)存。三星方面介紹，三星HBM4E可實現(xiàn)14吉比特每秒（Gbps）的穩(wěn)定引腳速率，性能可擴(kuò)展至16Gbps，以應(yīng)對日益激增的數(shù)據(jù)處理需求。

相較三星HBM4，其性能提升超20%；單堆疊內(nèi)存帶寬最高達(dá)3.6太字節(jié)每秒（TB/s），可以助力大語言模型（LLM）及下一代AI系統(tǒng)最大化算力表現(xiàn)。

存儲容量方面，三星12層HBM4E單顆容量為48吉字節(jié)（GB），較上一代提升超30%。三星電子稱，計劃根據(jù)客戶需求擴(kuò)展產(chǎn)品線，新增32GB（8層堆疊）與64GB（16層堆疊）的配置版本。

三星電子表示，HBM4E的核心優(yōu)勢在于充分整合三星全產(chǎn)業(yè)鏈半導(dǎo)體技術(shù)，復(fù)用并優(yōu)化HBM4量產(chǎn)階段驗證的尖端工藝：采用業(yè)界最先進(jìn)的第六代10納米級DRAM工藝（1c工藝），搭配三星代工4納米邏輯基底晶圓，使HBM4E擁有更高的工藝穩(wěn)定性和可制造性。

三星HBM4E在存儲和邏輯架構(gòu)上的設(shè)計與工藝優(yōu)化，還提升了性能、能效良率。

三星電子方面介紹，相較HBM4，HBM4E的能效提升約16%、熱阻降低超14%。此外，這些改進(jìn)還能實現(xiàn)更高效的散熱，讓高負(fù)載的下一代數(shù)據(jù)中心運行可靠性提升，且能耗更低。

三星表示，將在完成樣品交付與客戶適配優(yōu)化后，按客戶節(jié)奏啟動HBM4E量產(chǎn)。今年2月推出的HBM4已獲得全球客戶高度認(rèn)可，其性能與能效表現(xiàn)尤受好評。

公開信息顯示，三星HBM的主要客戶包括英偉達(dá)、AMD等AI芯片廠商，以及谷歌、微軟等云服務(wù)廠商，均為支撐AI算力需求的核心企業(yè)。

4月30日，三星電子披露第一季度業(yè)績，最終核實按合并財務(wù)報表口徑計算的當(dāng)季營業(yè)利潤同比增長756.1%，為57.2328萬億韓元（約合人民幣2639億元），連續(xù)兩個季度創(chuàng)下單季最高紀(jì)錄。負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的設(shè)備解決方案（DS）部門業(yè)績帶動公司整體業(yè)績增長。該部門當(dāng)季銷售額達(dá)81.7萬億韓元，營業(yè)利潤53.7萬億韓元，均創(chuàng)下歷史單季新高。